12月26日，记者从中车时代电气获悉，由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目，日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施，公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。据悉，这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。
压接型IGBT是柔性直流输电领域的核心器件。外形上看，器件与晶闸管等器件相似。但其主要通过并联多个“子单元”部件实现功率容量。芯片与电极间的电气连接，则通过压力实现。与传统焊接型IGBT模块相比，该类模块具容量大、高可靠性、失效短路模式等优点。
中车时代电气副总工程师刘国友介绍，此次研制出的3600A/4500V压接型IGBT模块，是目前市场可见产品中容量最大，具双面散热、长期稳定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞压接型芯片、基于低温纳米银烧结的芯片强化、大面积方形陶瓷管壳并联均流封装等多项核心技术，突破了芯片大规模并联压接封装中的压力均衡及电流均衡的技术难题，实现了器件特性与可靠性的双重提升。该大容量压接型IGBT模块，现已通过多家电网企业的柔直换流阀级的示范应用验证试验，可达量产及工程化应用要求。
俞慧友
科技日报
