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国产新型芯片 亮相工博会

2018年09月28日 09:27:00 来源:科技金融时报 作者:龙巍

  近日,国产新型嵌入式相变存储器芯片在上海举办的中国国际工业博览会上亮相。

  据了解,国产新型嵌入式相变存储器芯片基于上海微系统与信息技术研究所科研团队研发的低功耗、长寿命、高稳定性与高速的钪(Sc)—Sb—Te相变存储材料制成,目前40nm的PCRAM存储器芯片的单元成品率达99.99%以上,4Mb、64Mb不加修正的存储器芯片在先进信息系统上实现试用。同时新型嵌入式相变存储器芯片比传统读取速率存储芯片快千倍。

  国产新型嵌入式相变存储器芯片对我国的存储器跨越式发展、信息安全与战略需求具有重要意义,也将对推动我国集成电路产业的发展起到重要作用。龙巍 摄

[编辑: 王姝]
(本文来源:科技金融时报)
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