IGBT技术在大电流条件下具有非常好的传导特性。虽然与MOSFET相比开关损耗较高，但基本可以忽略，因为开关频率通常在几十赫兹(两位数)至几千赫兹的范围之间。此外，产品阵容中包括650V和1200V两种电压级，都是普通加热系统中常用的电压级。
尽管这种处理IGBT的方式对于有经验的设计人员来说似乎不太常见，但也并不是完全不可行。不过，也不要把开关时间降得太慢。应避免IGBT在每次开关期间出现过大的温度尖峰，以免损害功率循环能力。另外，极慢的开关时间对于IGBT来说可能也存在风险，因为它在开关过程中会以较低的栅极电压工作。根据ROHM的经验，适当减缓开关速度并不会引发问题。凭借从各种项目中获得并积累的宝贵经验，ROHM能够为客户的评估提供有效的建议，以帮助客户找到更好的解决方案。
